Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N70TM
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N70TM
FQB6N70TM Hakkında
FQB6N70TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V Drain-Source gerilimi ve 6.2A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketlemesinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum 1.5Ω Rds(on) değeri ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve elektrik tasarımlarında yer alır. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok