Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N60TM
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N60TM
FQB6N60TM Hakkında
FQB6N60TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 1.5Ω (10V, 3.1A'da) on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. Sürücü devreleri, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok