Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N60TM
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N60TM
FQB6N60TM Hakkında
FQB6N60TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygun olup, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde uygulanır. 25nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok