Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N60C
FQB6N60CTM Hakkında
FQB6N60CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 5.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 2Ω (10V, 2.75A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 (D²PAK) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımında alan tasarrufu yapılır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, inverterler ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 125W güç tüketebilir. ±30V gate voltajı toleransı ile geniş uygulama yelpazesi sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok