Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N50TM
MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N50TM
FQB6N50TM Hakkında
FQB6N50TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 5.5A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 22nC gate charge ve 790pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama yeteneğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok