Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N40C
FQB6N40CTM Hakkında
FQB6N40CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. 1Ω maksimum RDS(on) değeri (3A, 10V şartlarında) ile güç kayıpları minimalize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 73W maksimum güç dağıtımı ve 20nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize ediliştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok