Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N40CFTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N40C
FQB6N40CFTM Hakkında
FQB6N40CFTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 400V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlayarak enerji kaybını minimalize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), ışık kontrol devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 113W maksimum güç dağıtabilir. 20nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok