Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB6N25TM

MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB6N25TM

FQB6N25TM Hakkında

FQB6N25TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ile 5.5A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük açma direnci sunar. Kapı gerilimi ±30V aralığında çalışmakta olup, -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde işletilmektedir. Güç amplifikasyon, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. 63W termal kapasite ile yüksek güç yoğunluğu gerektiren tasarımlara uyum sağlar. Ürün statüsü obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok