Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB6N15TM
MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB6N15TM
FQB6N15TM Hakkında
FQB6N15TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilim ve 6.4A sürekli drain akımı ile çalışır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketin içinde bulunur. 600mΩ on-dirençi 10V gate geriliminde ve 3.2A akımda spesifik edilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate yükü 8.5nC, input kapasitesi 270pF'dir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Maximum 63W güç dağıtabilir. 4V eşik gerilimi ile düşük gate sürüş voltajında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok