Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB65N06TM
MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB65N06TM
FQB65N06TM Hakkında
FQB65N06TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 65A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 16mOhm on-state direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 150W (Tc) güç harcayabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve enerji dönüşüm devrelerinde kullanılır. 65nC gate yükü ve düşük RDS(on) değeri ile hızlı anahtarlama ve düşük ısı kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok