Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB65N06TM
MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB65N06TM
FQB65N06TM Hakkında
FQB65N06TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 65A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paket tipinde sunulan bu transistör, 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen Obsolete (eski) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok