Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB630TM
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB630TM
FQB630TM Hakkında
FQB630TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source voltaj ve 9A sürekli drenaj akımına sahip olan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile tasarlanmış olan FQB630TM, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 10V gate sürüş voltajında 400mΩ maksimum Rds(On) değeri ile enerji tasarrufu sağlayan bu MOSFET, motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde sıklıkla kullanılmaktadır. Maksimum 3.13W (Ta) güç disipasyonu ile belirtilen bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok