Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB5P10TM
MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB5P10TM
FQB5P10TM Hakkında
FQB5P10TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Vdss ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.05Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. Hız kontrol devreleri, güç kaynağı uygulamaları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. Maksimum gate yükü 8.2nC olup, 10V drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok