Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB5N90TM
FQB5N90TM Hakkında
FQB5N90TM, onsemi tarafından üretilen 900V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 5.4A sürekli drain akımı sağlamaktadır. 2.3Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı özellikleri bulunmaktadır. Vgs(th) eşik gerilimi 250µA'de 5V olarak tanımlanmıştır. Maksimum 40nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok