Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB5N80TM
MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB5N80TM
FQB5N80TM Hakkında
FQB5N80TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 4.8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.6Ω RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 33nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrik çevirici ve koruma sistemleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Maksimum 140W ısıl disipasyon kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok