Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB5N60CTM
FQB5N60CTM-WS Hakkında
FQB5N60CTM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygundur. 2.5Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve koruma devrelerinde tercih edilir. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok