Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB5N60CTM
4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB5N60CTM
FQB5N60CTM Hakkında
FQB5N60CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 2.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve SMPS devreleri gibi endüstriyel elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok