Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB5N50TM
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB5N50TM
FQB5N50TM Hakkında
FQB5N50TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.8Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilebilen transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri ve indüktif yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Bileşen Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok