Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB5N50CTM
FQB5N50CTM Hakkında
FQB5N50CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü geriliminde 1.4Ω maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 73W güç yayılabilme yeteneğine sahip olan FQB5N50CTM, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, inverterler ve motor kontrolü gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır. 24nC gate yükü ve 625pF giriş kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok