Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB5N40TM

MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB5N40TM

FQB5N40TM Hakkında

FQB5N40TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük 1.6Ohm on-state direnci sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponentin maksimum 70W ısıl tüketim gücü vardır. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. Ürün hali hazırda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok