Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB55N10TM
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB55N10
FQB55N10TM Hakkında
FQB55N10TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 55A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve invertör devreleri gibi endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında kullanılır. 98nC gate charge ve 2730pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok