Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB55N06TM

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB55N06TM

FQB55N06TM Hakkında

FQB55N06TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 55A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (20mΩ @ 27.5A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket tipi ile PCB'ye kompakt entegrasyon sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum gate charge değeri 46nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Üretici tarafından obsolete durumuna alınmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 27.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok