Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB55N06TM
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB55N06TM
FQB55N06TM Hakkında
FQB55N06TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 55A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. 20mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında uygulamalara uygun kılar. Güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde, invertörler ve SMPS tasarımlarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Bileşen halen tedarik edilmese de, arşiv ve restore projelerinde harita çıkarma amacıyla teknik referans olarak önemlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 133W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok