Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB4P40TM

MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB4P40TM

FQB4P40TM Hakkında

FQB4P40TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Gate charge karakteristiği 23nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun tasarımlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Güç kaynakları, DC-DC konvertörler, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok