Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB4P25TM
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB4P25TM
FQB4P25TM Hakkında
FQB4P25TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlemlerinde kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 10V gate sürüş geriliminde 2.1Ω maximum RDS(on) ile verimli enerji aktarımı sağlar. Inverter devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilen bir komponenttir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok