Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB4N90TM
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB4N90TM
FQB4N90TM Hakkında
FQB4N90TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V Drain-Source gerilimi ve 4.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 10V gate sürüşü ile 3.3Ohm on-resistance değerine ulaşır. D²Pak (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ışık denetleme uygulamaları ve indüktif yüklerin kontrolünde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 140W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. 30nC gate yükü ve 1100pF giriş kapasitanası ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok