Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB4N80TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB4N80TM
FQB4N80TM Hakkında
FQB4N80TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 3.9A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 3.6Ω maksimum On-direnci (Rds On) ile verimli enerji transferi sağlar. ±30V Gate-Source gerilim aralığında çalışabilir. Surface mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç kaynakları, invertörler, motorlu cihazlar ve anahtarlama güç devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok