Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB4N80TM
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB4N80TM
FQB4N80TM Hakkında
FQB4N80TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 3.9A sürekli dren akımı ile güç elektrik devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor sürücü tasarımlarında yer alır. TO-263 (D²PAK) yüzey monte paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile zorlu ortamlarda güvenilir çalışma sağlar. 3.6Ω maksimum RDS(On) ile verimli anahtarlama performansı sunar. SMPS, inverter ve yüksek gerilim dönüştürücü devrelerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok