Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB4N20TM
MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB4N20TM
FQB4N20TM Hakkında
FQB4N20TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω (10V gate geriliminde, 1.8A akımda) Ron değeri ile enerji verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 45W güç dağıtabilir. Ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok