Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB4N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB4N20L
FQB4N20LTM Hakkında
FQB4N20LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim kapasitesi ve 3.8A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) SMD paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 10V gate geriliminde 1.35Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve maksimum 45W ısıl yayılımı destekleyen bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok