Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB46N15TM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB46N15TM
FQB46N15TM Hakkında
FQB46N15TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 45.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 42mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük açılış direnci sunar ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 3.75W (Ta) ile 210W (Tc) arasında güç saçma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 22.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok