Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB3P50TM

MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB3P50TM

FQB3P50TM Hakkında

FQB3P50TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain to Source gerilim (Vdss) ve 2.7A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, SMPS güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltajlı yükselticiler gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 4.9Ω RDS(on) değerine sahiptir. Obsolete durumda olan bu bileşen, eski tasarımların güncellenmesi veya yedek parça olarak temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok