Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3P20TM
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3P20TM
FQB3P20TM Hakkında
FQB3P20TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate sürücü geriliminde 2.7Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Düşük ısı üreten uygulamalarda ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate yükü maksimum 8nC olup, giriş kapasitesi 250pF'dir. Vgs(th) maksimum 5V @ 250µA'de ölçülmüştür. 3.13W (25°C ortam sıcaklığında) ve 52W (case sıcaklığında) güç dağılımı kapasitesi vardır. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok