Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3P20TM
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3P20TM
FQB3P20TM Hakkında
FQB3P20TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 10V gate drive voltajında 2.7Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Kapı yükü 8nC ve giriş kapasitesi 250pF karakteristikleri düşük frekans anahtarlama devrelerinde uygun performans sağlar. Endüstriyel denetim, güç yönetimi ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. Ürün, Rochester Electronics tarafından üretilmekte olup mevcut stokta bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok