Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3N90TM
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3N90TM
FQB3N90TM Hakkında
FQB3N90TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 3.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi uygulamalarında görev yapar. 4.25Ω maksimum RDS(on) değeri ile minimal enerji kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok