Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3N80TM
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3N80TM
FQB3N80TM Hakkında
FQB3N80TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3A sürekli drain akımı kapasitesi ve 5Ohm (10V, 1.5A) on-state direnci ile anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüler, boost konvertörleri ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok