Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3N60CTM
FQB3N60CTM Hakkında
FQB3N60CTM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 3A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 3.4Ω maksimum RDS(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol sistemlerinde ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır. 14nC gate charge ve 565pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 75W güç disipasyonuna kapasite sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 565 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok