Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3N60CTM
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3N60CTM
FQB3N60CTM Hakkında
FQB3N60CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sıkı PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. 3.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybı minimize edilir. Gate charge 14nC ve input capacitance 565pF düşük değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda, güç kaynakları, motor denetimi ve anahtarlamalı devrelerde kullanılır. ±30V gate gerilimi kapasitesi ile esnek sürücü devresi tasarımına imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 565 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok