Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB3N40TM

MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB3N40TM

FQB3N40TM Hakkında

FQB3N40TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D2PAK) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygundur. 3.4Ω Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge (7.5nC) sayesinde hızlı komütasyon sağlar. Lojik seviyesi drive gerilimi (10V) ile uygulamada kolay kullanım imkanı sunar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok