Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3N30TM
FQB3N30TM Hakkında
FQB3N30TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarı olarak kullanılır. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 2.2Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına uygun olup, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 55W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetim gerektiren tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok