Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB3N30TM
MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB3N30TM
FQB3N30TM Hakkında
FQB3N30TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulur. 2.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç anahtarlaması, motor kontrol, güç kaynakları ve indüktif yüklerin anahtarlanması gibi uygulamalarda kullanılır. ±30V kapı gerilimi aralığında işletilir. Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok