Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB3N25TM

MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB3N25TM

FQB3N25TM Hakkında

FQB3N25TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.8A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketidir. 2.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi aplikasyonlarında ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge 5.2nC ve 170pF input kapasitansiyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar. ±30V gate-source voltaj aralığında güvenli çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok