Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB34P10TM
FQB34P10TM-F085 Hakkında
FQB34P10TM-F085, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 33.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve invertör tasarımlarında kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile standart lojik seviyelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok