Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB34P10TM

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB34P10TM

FQB34P10TM Hakkında

FQB34P10TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 33.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 60mOhm RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimini sağlar. Gate şarj değeri 110nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun konfigürasyona sahiptir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve ters polarite koruma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2910 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 16.75A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok