Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB34N20TM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB34N20TM
FQB34N20TM Hakkında
FQB34N20TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 75mOhm (10V, 15.5A'da) düşük on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, switching regülatörleri, motor denetleyicileri, DC-DC konverterler ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 180W (Tc'de) güç yayma kapasitesine sahip olan komponentin 78nC gate yükü hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 15.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok