Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB33N10
FQB33N10TM Hakkında
FQB33N10TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 33A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Endüstriyel kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, 127W termal dissipasyon kapasitesi ve 51nC gate charge değerleri, yüksek hızlı anahtarlama gereksinimi olan uygulamalar için uygun özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok