Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB33N10L
FQB33N10LTM Hakkında
FQB33N10LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj desteği ve 33A kontinü dren akımı kapasitesiyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket, kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar ve motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok