Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB32N20CTM

MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB32N20CTM

FQB32N20CTM Hakkında

FQB32N20CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 28A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 82mOhm maksimum on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 110nC gate charge ve 2220pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok