Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB32N12V2
FQB32N12V2TM Hakkında
FQB32N12V2TM, Rochester Electronics tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source voltaj ve 32A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç uygulamalarında anahtar görevi için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (53nC) hızlı anahtar açma/kapama özelliğine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok