Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB30N06LTM

MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB30N06LTM

FQB30N06LTM Hakkında

FQB30N06LTM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. 35mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. Gate charge 20nC ve 2.5V gate threshold voltajı hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüşüm devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok